东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出由45款LDO稳压器组成的“TCR5RG”系列。该系列均采用轻薄、紧凑型WCSP4F封装。新款LDO稳压器拥有业界领先的[1]高纹波抑制比[2]，能够为可穿戴产品等移动电子设备的直流电源线提供更稳定的功率。该系列新产品将从今日开始批量出货。
TCR5RG系列通过结合宽带隙电路、低通滤波器（仅允许极低频率通过）以及低噪声高速运算放大器，实现了业界领先的[1]100dB（典型值）高纹波抑制比[2]。此外，它们还具有低输出电压噪声和高输出电压精度的特点。这些特性结合在一起，使该系列稳压器可提升电源线的稳定性。
该系列包含45款产品，最大输出电流为500mA，输出电压范围在0.9V到5.0V之间，以便用户通过你自己的应用选择最合适的输出电压。
新款LDO稳压器采用尺寸为0.645mm×0.645mm的轻薄紧凑型WCSP4F封装，适合摄像头和小型设备（例如需要高密度贴装的智能手机和可穿戴产品）的电源线应用。
[1]根据2021年3月2日东芝对最大输出为500mA的LDO稳压器的调查。
[2]该纹波抑制比（R.R.）与其他制造商的产品指示的电源抑制比（PSRR）相同。
关键字：编辑：muyan 引用地址：东芝轻薄紧凑型LDO稳压器问市，可提供更稳定功率
东芝 (TOKYO) 日前发布基于24纳米工艺的“SmartNAND™”系列新产品。通过此产品，东芝将逐步扩大其NAND闪存的产品线。“SmartNAND™”在NAND封装中集成错误管理系统。全新芯片可以简化系统端的设计，并能将先进工艺的NAND应用于消费电子科技类产品中，包括数字音频播放器、平板电脑、信息设备、数字电视、机顶盒和别的需要大容量非易失性存储器的应用。 全新SmartNAND产品系列的样品将于四月中旬面市，将于2011 年第二季度（四月至六月）真正开始量产。 SmartNAND 产品系列将前沿的24纳米工艺NAND 闪存与支持纠错码 (ECC)的控制芯片有机整合。最新的产品线千兆字节
震后宣布量产24nm工艺的嵌入式NAND闪存 /
据国外新闻媒体报道，日本 东芝 公司今天公布 财报 显示，由于受到旗下内存 芯片业务 强劲业绩的驱动，该公司本财年第二季度运营利润增长了76%。最近，该公司同意将旗下内存芯片业务以180亿美元对外出售。 处于困境状况的这家日本工业巨头表示，本财年7至9月份这个第二季度运营利润从上年同期的768.8亿日元增长至1250,8亿日元（约合12亿美元）。 这个业绩好于分析师预期，汤森路透StarMine SmartEstimate此前根据5位分析师预估，东芝本财年第二季度运营利润是1244.7亿日元。 东芝还表示，该公司将在本财年把对芯片业务的投资额从此前计划的4000亿日元提高至6000亿日元，这主要是加速位于日本本州岛中南岸港
东芝在其太平洋横滨会展中心“Smart City Week 2011”（展会日期为2011年10月26日～28日）的展区，公开了三菱汽车EV“i-MiEV M”配备的锂离子充电电池组 。 i-MiEV M的电池组平均电压为270V，容量约为10.5kWh。原来“i-MiEV”的电池组平均电压为330V、容量为16kWh。新款电池组采用的外壳与原i-MiEV相同。电池组配备平均电压为27.6V（18～32.4V）、容量为40Ah的电池模块。电池模块的尺寸为359mm×187mm×124mm，重量为15kg。 电池模块 电池模块采用了2并联×12串联共计24个东芝制造的20Ah单元。单元电压为1.5
东京 东芝公司（TOKYO：6502）旗下半导体与存储产品公司今日宣布推出 TC78H620FNG 。 TC78H620FNG 是东芝公司H桥 驱动器IC系列的最新产品，适用于有刷直流电机和步进电机，如用于移动电池驱动设备（相机和小型打印机）以及家用电器中的电机。批量生产即日启动。 新产品采用四端口接口控制，其使用相位（PHASE）信号和启动（ENABLE）信号来控制。具有标准接口的现有产品 TC78H610FNG 需要四个端口实现步进电机的整步控制。新产品 TC78H620FNG 仅需三个端口就可以实现控制。由于芯片组的高功能性，在某些情况下，缺少MCU控制端口成为问题。该产品将有利于解决这一问题。
推出适用于低电压（2.5V）驱动的H桥驱动器IC /
北京时间8月23日上午消息，日本经济新闻周三报道称，东芝将优先与西部数据协商出售其内存芯片业务事宜，东芝此前与一优先买家的谈判陷入停顿中。 日经未引述消息来源的报道称，东芝社长兼CEO纲川智对贷款方表示，该公司将重点推进与西部数据的谈判。 据报道，西部数据打算取得该业务不到20%的股份。
新浪科技讯 北京时间9月7日晚间消息，日本共同社(kyodo)今日报道称，西部数据目前正与东芝谈判，同意退出对东芝芯片部门的竞购，但前提是：如果该芯片部门将来上市，西部数据希望拥有略低于16%的投票权。 路透社本周二曾援引两位知情人士的消息称，西部数据已决定放弃竞购东芝芯片业务部门，转而寻求在芯片合资公司中获得更有利的地位。 周三，东芝董事会对西部数据的该提议进行了讨论，但未能达成协议。知情人士称，谈判的焦点在于：东芝芯片部门将来上市后，西部数据将持有多少股份？ 日本共同社今日援引知情人士的消息称，西部数据希望拥有略低于16%的投票权。如果东芝同意，则西部数据将退出竞购。 知情人士今日称，西部数据此举也是为了帮助东
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)的加强绝缘型三端双向可控硅开关元件输出光电耦合器阵容中新增了一款600V NZC三端双向可控硅开关元件输出光电耦合器“TLP265J”和一款600V ZC三端双向可控硅开关元件输出光电耦合器“TLP266J”。新产品采用SO6双模封装，隔离电压为3750Vrms（交流电，1分钟）的加强绝缘。它们的爬电距离和间隙距离为5mm（最小值），并获得了UL、cUL和VDE认证。在电气特性方面，这一些产品支持高达7mA的触发LED电流（最大值），支持以较低的输入电流控制输出。另外，它还采用了寿命较长的LED，支持回流贴装，并符合JEDEC标准。
卓芯微电子(Innova-Semi)推出了双通道的低压差线mA的带载能力，很低的压差，高达62dB的纹波抑制比，并有各自的CE控制端。内置过温保护，以及短路回缩功能。 该器件主要使用在于手机、MP3、MP4、PMP等产品。典型应用电路如下： RCR3412SL性能概要：
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