盖世轿车讯 据外国媒体报道，纳微半导体公司（Navitas Semiconductor）推出集成度更高的氮化镓（GaN）技能GaNSafe，合适高达22kW的高功率运用。
作为该公司的第四代GaN技能，高功用宽禁带功率渠道GaNSafe旨在满意1-22kW的运用需求，包含数据中心电源、太阳能微型逆变器和电动轿车中的DC-DC转换器。
该产品增加了操控、传感、米勒钳位（Miller clamp）、电平位移（level shift）和维护功用，可供给20年保修。Navitas公司于近来在中国台湾推出该技能，不只得到其制作协作伙伴台积电（TSMC）的支撑，并且集成了光环驱动器合资企业（Halo driver joint venture）和比利时数字阻隔草创公司VDD Tech的技能。
纳微公司营销副总裁Stephen Oliver表明：“自2016年以来，纳微公司一向采纳将GaN稳压器和栅极驱动器与FET集成到硅板上的做法。该技能已运用于手机充电器和家用电器，但在数据中心、太阳能和轿车运用中，一向不足以满意功率和牢靠性要求。凭仗GaNSafe，纳微能具有电气功用更稳健的产品，即在同一芯片上具有2000V ESD维护二极管，阻隔电压为800V和用于栅极驱动器的可调理的敞开和封闭速度（dv/dt）。”
初期的高功率650 V GaNSafe产品组合的导磁电阻规模为35-98 mΩ，并选用新式四引脚外表贴装10 x 10mm TOLL封装。
该芯片集成稳压栅极驱动操控，具有零闸极-源回路电感，可完结牢靠的高速2 MHz开关功用，然后充沛进步运用功率密度。经过高速短路维护，该计划可在50 ns内完结自主“检测和维护”功用。
该产品的静电放电（ESD）维护为2kV，因此能选用四引脚封装进行更简练和更高频率的规划。获益于可调理的敞开和封闭速度（dV/dt），可以简化电磁搅扰（EMI）监督管理要求。Oliver表明：“该产品选用巩固的TOLL封装，由于缓动铜套（copper slug）的质量是方形扁平无引脚封装（QFN）的2.5倍，可以给我们供给更多的热支撑。”
该技能已用于3.2kW 1U数据中心电源体系，功率密度为5.9 W/cc，即挨近100 W/in3。与平等的传统硅办法（开关频率为300kHz）比较，其体积削减40%，在30%负载下功率到达96.5%以上，从20%扩展到60%负载时，功率到达96%以上。Oliver表明：“GaNSafe的一切设备均能完结 2MHz开关才能，超出大多数微操控器的处理才能。”
相同，装备3 kW DC-DC转换器的6.6 kW三合一双向电动轿车车载充电器（OBC）可完结96%以上的功率，功率密度进步50%以上。该公司正在与中国轿车制作商极氪（Zeekr）协作，运用GaNSafe和上一年收买的GeneSiC碳化硅技能进行规划，并开发11kW和22kW充电体系。
该GaNSafe产品组合现向合格客户供给，估计将于2023年第四季度开端大规模出产。现在，已有40个客户项目在运用GaNSafe，触及数据中心、太阳能、动力存储和电动轿车运用领域。